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VBM15R10S

N-Channel500V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-5-31 9:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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VBSEMI台湾微碧
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