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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB20M120C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VB20M120C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology 文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：84.95 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology 文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：散装 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology 文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
PowerSchottkyrectifier 文件：187.7 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses 文件：141.98 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VB20M120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB20M120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO263AB |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VBsemi(微碧) |
2023+ |
SOT23-3 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
Omron |
23+ |
NA |
5700 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
|||
OMRON/欧姆龙 |
2308+ |
316456 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
||||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO263AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY |
2020+ |
TO-263A |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
2800 |
原厂原装正品 |
|||
VBRIDGE |
2021+ |
BGA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-263-3,D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
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2022-6-25VAS1260
VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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