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V35PWM12_V01

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.3mm •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-24 14:18:00
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