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V12WM100C-M3_V01

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.co

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威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-30 18:26:00
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