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V10170C-M3_V01

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-21 18:30:00
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