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UT40N03T

30V,28AN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

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微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

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NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

PowerMOSFETsfromSiliconStandardprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageiswidelypreferredforcommercialandindustrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssu

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

LowGateChargeSimpleDriveRequirement

Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialapplicationsandsuitedforlowvoltageapplica

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

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VBSEMI

FastSwitchingCharacteristic

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

A-POWER
更新时间:2024-6-3 18:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2227+
TO252
2281
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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UTC/友顺
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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    特征>155.5Mbps的(77.7兆赫)交换速率+340mV的差分信号名义问5V电源TTL兼容输入超低功耗CMOS技术最大5.0ns,传输延迟3.0ns最高,差分偏移辐射加固设计,总剂量辐射测试符合MIL-STD-883方法1019-总剂量:300krad(Si)和1Mrad(四)-闭锁免疫(LET的>111MeV-cm2/mg)包装选择:-16引脚扁平封装(双行)标准微电路图纸5962-

    2013-2-22
  • UT54LVDS031-UCC-缓冲器/驱动器...

    简介该UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分线路驱动应用而设计的要求超低功耗和高数据速率。该装置目的是支持在155.5Mbps的数据传输速率超过(77.7兆赫)利用低电压差分信号传输(LVDS)技术。该UT54LVDS031接受TTL输入电平与翻译他们低电压(340mV)差分输出信号。在此外,驱动程序支持的三态功能,可使用禁用的输出级,禁用负载电流,从而去掉了设备闲置的超低电源状态。和同伴的UT54LVDS031四线接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速点至点接口伪ECL器件申请。特征>155.

    2013-2-22