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UT3419G-AE3-R

20V,3.5AP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCUT3419isaP-channelenhancementMOSFETprovidingdesignerswithexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thegatevoltageisaslowas2.5V. TheUTCUT3419canbeappliedinPWMapplicationsorusedasaloadswitch. FEATURES *RDS(ON)≤75mΩ@VGS=-10V,ID=-3.5A *RDS(ON)≤

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
UT3419G-AE3-R

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
UT3419G-AE3-R

ENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2024-6-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UTC/友顺
23+
NA/
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UTC
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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
UTC/友顺
2022+
SOT-23-3
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
UNIVERSAL
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SMD
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