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SURMOUNTTMLowBarrier0201FootprintSiliconSchottkyDiodes

Description TheMA4E2501L-1290SurMount™DiodesareSiliconLowBarrierSchottkyDevicesfabricatedwiththepatentedHeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit(HMIC)process.HMICcircuitsconsistofSiliconpedestalswhichformdiodesorviaconductorsembeddedinaglassdielectric,whichacts

MA-COM

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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更新时间:2024-6-18 17:02:01
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