型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

WASHERS

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

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etc2

DCaxialfans

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EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

DCdiagonalfans

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EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

DCaxialfans

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EBMPAPST

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EBMPAPST

DCaxialfans

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EBMPAPST

ebm-papst

EBMPAPST

UPC3218GV-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC3218GV-A

  • 功能描述

    射频放大器 AGC Amplifier

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-5-14 11:46:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS
23+
QFP
980
全新原装,真实库存
NS
2339+
QFP-40
8985
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
TE Connectivity AMP Connectors
2308+
463250
一级代理,原装正品,公司现货!
EBM-PAPSTHONGKONGLIMITED
2021+
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
FUJ
QFP
500
正品原装--自家现货-实单可谈
NULL
2021+
SSOP-8
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
SMA
1
FUJITSU
23+
TQFP
1500
全新原装
NA
1801+
QFP
5960
原装正品-现货-绝对有货-实单价可谈
NA
2048+
QFP
9851
只做原装正品现货!或订货假一赔十!

UPC3218GV-A芯片相关品牌

  • AIMTEC
  • ANPEC
  • AZETTLER
  • BELDEN
  • CYSTEKEC
  • Dialight
  • HONGFA
  • JDSU
  • Rubycon
  • SANYOU
  • SENSORTECHNICS
  • Xicor

UPC3218GV-A数据表相关新闻

  • UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    UPC816G-DIP4T-TG_UTC代理商

    2023-3-14
  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6
  • UPB1509GV RENESAS/瑞萨

    www.hfxcom.com

    2021-12-9
  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压(2.495V)和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察(至-92)mPC

    2013-3-13
  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3V和30V之间的任何值。特点•超过1.5A的输出电流•芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。应用

    2012-12-14