位置:首页 > IC中文资料第5697页 > UPC1651G
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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UPC1651G | WIDEBANDUHFSILICONMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC1651GisasiliconmonolithicintegratedcircuitespeciallydesignedasawidebandamplifiercoveringtheHFbandthroughUHFband. | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | ||
IECConnectorC19,Rewireable,Angled Description ApplianceInlet, -Werecommendfornewapplicationsthenewtype6136 | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | |||
CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor12(65/30)AWGTinnedCopper0.093 b)Insulation0.045Wall,Nom.PVC0.183+/-0.004 (1)Color(s)WHITE,BLACK,RED | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
IECConnectorC19,Rewireable,Angled 文件:512.23 Kbytes Page:4 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | |||
IECApplianceInletC20withFilter,FrontorRearSideMounting 文件:630.04 Kbytes Page:5 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | |||
TripleOutputDCPowerSupplies 文件:830.46 Kbytes Page:1 Pages | BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司 |
UPC1651G产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC1651G
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
WIDE BAND UHF SILICON MMIC AMPLIFIER
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEC |
23+ |
SMD |
10800 |
只做原装 欢迎咨询 |
|||
NEC |
03+ |
十字架 |
491 |
全新原装 实单必成 |
|||
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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NEC |
12+ |
5083 |
原装现货假一赔十热卖中 |
||||
NEC |
2020+ |
DIP |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
NEC |
22+ |
47664 |
郑重承诺只做原装进口货 |
||||
NEC |
2017+ |
25689 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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NEC |
22+ |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
||||
NEC |
2024+ |
十字架 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
|||
NEC |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
UPC1651G规格书下载地址
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压(2.495V)和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察(至-92)mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
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描述mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。应用
2012-12-14
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