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UD02N65	N-Ch650VFastSwitchingMOSFETs 文件：698.86 Kbytes Page：4 Pages	UNITPOWER Unitpower Technology Limited
UD02N65	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.08791 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
UD02N65	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.41852 Mbytes Page：5 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CEB02N65A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB02N65D	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB02N65G	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED02N65A	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,1.2A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEEF02N65G	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,2.0A,RDS(ON)=5.0W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-126Fpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更新时间：2024-4-26 22:30:00

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UC3823A＆B和UC3825APWM控制IC及B族改善版本的标准UC3823与UC3825系列。性能增强已作出若干电路块。误差放大器增益带宽积为12MHz，而输入失调电压为2mV的。电流限制阈值是保证5％的公差。振荡器的放电电流是指定精确的死区时间控制在10mA。频率精度提高至6％。启动电源电流，通常为100mA，用于离线应用的理想选择。输出驱动器被重新设计，积极接收目前在UVLO期间，在没有启动电流规范的开支。此外，每个输出能够在转换过程中的2A峰值电流。功能上的改进也已经在这个家庭中实现。UC3825关断比较现在是一个高速的过流比较器一个1.2V的阈值。过流比较器设置一个闩锁，以确
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