型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

TI
NA

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TI

TI
NA

TI 2Texas Instruments Incorporated

德州德州仪器

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TI 2

TI
NA

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TGS

TI
NA

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TI1

TI
NA

TITANShenzhen Titan Micro Electronics Co., Ltd.

天微电子深圳市天微电子有限公司

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TITAN

TI
NA

TIANBONingbo Tianbo Ganglian Electronics Co.,Ltd

天波钢联宁波天波钢联电子有限公司

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TIANBO

TI
NA

SKYPOWERTianyuan Zhongxin Semiconductor Co. , Ltd.

天源中芯天源中芯半导体有限公司

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

SKYPOWER

TI
NA

TinyCircuitsTinyCircuits

TinyCircuits

相关企业:柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

TinyCircuits

UCD7230PWPRG4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UCD7230PWPRG4

  • 功能描述

    DC/DC 开关控制器 Dig Pwr Comp Synch Buck Drvr

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 输入电压

    6 V to 100 V

  • 输出电压

    1.215 V to 80 V

  • 输出电流

    3.5 A

  • 输出端数量

    1

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    CPAK

更新时间:2024-6-6 10:50:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
23+
20-VQFN
7750
全新原装优势
TI
22+
QFN20
31817
原装正品现货
TI/德州仪器
10+
HTSSOP-20
300
现货超低价支持实单
TI
22+23+
HTSSOP-20
35484
绝对原装正品全新进口深圳现货
TI&BB
22+
QFN20
2659
原装正品!公司现货!欢迎来电洽谈!
TI
HTSSOP-20
893993
全新原装,支持实单,非诚勿扰
TI
22+
HTSSOP-20
30000
原装正品
TI
21+
HTSSOP-20
13880
公司只售原装,支持实单
13384
SOP8
10
美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现
TI/德州仪器
2406+
HTSSOP-20
17300
诚信经营!进口原装!量大价优!

UCD7230PWPRG4芯片相关品牌

  • ANALOGICTECH
  • ASTRODYNE
  • CT
  • DSK
  • EIC
  • EMCORE
  • MTRONPTI
  • NTE
  • P-TEC
  • SLPOWER
  • TALEMA
  • Yamaha

UCD7230PWPRG4数据表相关新闻

  • UCD4071BG-SOP14R-TG

    UCD4071BG-SOP14R-TG

    2023-1-30
  • UCD9080RHBR

    产品描述:电源序列发生器和监控器

    2022-5-9
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCC5350SBDR

    Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器

    2020-7-9
  • UCC3957M-1-电池管理

    UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态,保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行,保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值,是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭,防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样,如果任何电池电压低于欠压限制,第二个P沟道MOS

    2012-12-29