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AOB4S60	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOB4S60	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOB4S60	600V4AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOB4S60	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
4S60	Materialspecification 文件：48.89 Kbytes Page：4 Pages	FERROXCUBEFERROXCUBE INC. 飞磁

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更新时间：2024-6-4 17:55:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
易创佳业科技（深圳）有限公司	AOB4S60	AOS万代	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市振宏微科技有限公司	AOB4S60	AOS(万代)	23+	NA	20000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	AOB4S60L	AOS	2016+	TO-263	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	AOB4S60	AOS	21+	TO-263	951	原装现货假一赔十	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	AOB4S60	AOS	2023+	TO-263	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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2022-6-16
U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24

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