型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 40V,43A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=10V. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

20-30GHzHighPowerAmplifier

Description TheCHA4092isahighgainbroadbandthreestagebalancedmonolithicpoweramplifier.Itisdesignedforawiderangeofapplications,frommilitarytocommercialcommunicationsystems. MainFeatures ■Broadbandperformances:20-30GHz ■22dBmoutputpower(1dBgaincomp.) ■17

UMSUnited Monolithic Semiconductors

United Monolithic Semiconductors

UMS

P-CHANNELJFET

GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

Lowtomidrangeenginemanagement

文件:663.33 Kbytes Page:38 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

2.0A,2-4celllithiumbatteryswitchingcharger

文件:759.55 Kbytes Page:14 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI
更新时间:2024-6-18 22:58:01
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    高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。

    2012-11-24