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TZQ5253B	SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Lowreversecurrentlevel ●Availablewithtightertolerances ●Veryhighstability ●Lownoise Applications Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技
TZQ5253B	SmallSignalZenerDiodes 文件：109 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
TZQ5253B	SmallSignalZenerDiodes 文件：190.5 Kbytes Page：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
TZQ5253B-GS08	封装/外壳：SOD-80 变式包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 25V 500MW SOD80 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
TZQ5253B-GS18	封装/外壳：SOD-80 变式包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 25V 500MW SOD80 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
AD5253	Quad64-/256-PositionI2CNonvolatileMemoryDigitalPotentiometers GENERALDESCRIPTION TheAD5253/AD5254arequadchannel,I2C,nonvolatilememory,digitallycontrolledpotentiometerswith64/256positions,respectively.Thesedevicesperformthesameelectronicadjustmentfunctionsasmechanicalpotentiometers,trimmers,andvariableresistors. FEATURES	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
5253	ChipLeadSpacing 文件：25.74 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
5253	BATTERYCONTACTSFORMOLDEDCASES 文件：142.89 Kbytes Page：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
5253	ChipLeadSpacing 文件：25.74 Kbytes Page：1 Pages	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
ACZRV5253B-HF	SMDZenerDiode 文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司

TZQ5253B产品属性

类型
描述
型号
TZQ5253B
制造商
VISHAY
制造商全称
Vishay Siliconix
功能描述
Small Signal Zener Diodes

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更新时间：2024-5-9 16:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	TZQ5253B-GS08	VISHAY-威世	24+25+/26+27+	SOD-80	236148	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市恒意法电子有限公司	TZQ5255B-GS08	Vishay	21+	SOD-80 (LL-34)	22500	正规渠道原装正品现货	询价
深圳市科雨电子有限公司	TZQ5253B-GS18	VISHAY	20+	DO-213	16750	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

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TZMC5V6-GS08，电阻，电容，电感，滤波器，二极管，三极管，发光管，LED，一站式配齐，兴中扬电子
TZMC5V6-GS08，电阻，电容，电感，滤波器，二极管，三极管，发光管，LED，一站式配齐，兴中扬电子
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高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24

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