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TPN8R408QM

SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=8.4nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=29.9nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)(VG

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-29 17:10:00
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