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TPD80R1K2C

800VSuper-JunctionPowerMOSFET

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WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微无锡紫光微电子有限公司

WUMC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

800V1.2(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

800V1.2(ohm)N-channelMOSFET

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MagnaChip Semiconductor.

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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800V1.2ohmN-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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更新时间:2024-6-3 22:30:00
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