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TPC8035-H	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
TPC8035-H	N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.75443 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
TPC8035-H	FieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(U-MOS??H) 文件：223.22 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
8035AHL	HMOSSINGLE-COMPONENT8-BITMICROCONTROLLER HMOSSINGLE-COMPONENT8-BITMICROCONTROLLER	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
AN8035	3-pinPositiveOutputLowDropoutVoltageRegulator50mAType Overview TheAN8000seriesis3-pinlow-dropoutfixedpositiveoutputmonolithicvoltageregulators.Sincethierpowerconsumptioncanbeminimized,theyaresuitableforbatterystabilizingpowersupplyandreferencevoltage.Thirteentypesofoutputvoltageareavailable;2V,2.5V,3V,3.5V(T	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
8035	SmallSeismicTransponder(SST) 文件：104.13 Kbytes Page：2 Pages	SONARDYNESonardyne sound in depth Sonardyne sound in depth
8035	RadialLeadThermalCutoff 文件：57.59 Kbytes Page：1 Pages	NTE NTE Electronics, Inc
ACTF8035	Low-lossRFfilter 文件：337.41 Kbytes Page：5 Pages	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术

TPC8035产品属性

类型
描述
型号
TPC8035
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type(U-MOSⅥ-H)

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更新时间：2024-5-20 9:50:00

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技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
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