型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode

GeneralDescription TheAO4906usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThetwoMOSFETsmakeacompactandefficientswitchandsynchronousrectifiercombinationforuseinDC-DCconverters.ASchottkydiodeisco-packagedinparallelwiththesynchronous

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

DualN-ChannelMOSFET

■Features N-Channel1 ●VDS(V)=30V ●ID=8.5A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

AdjustableRFInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

AdjustableRFInductors

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BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

TLE4906LXA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TLE4906LXA

  • 制造商

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    HALL EFFECT SENSOR 20MA 3.3V/5V/9V/12V/15V 3PIN SSO TAPE - Cut TR(SOS)

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 功能描述

    Infineon Technologies TLE4906LXA Hall Effect Sensors

更新时间:2024-5-8 22:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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