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LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT

ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

SuperJunctionFREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Advanced Power Technology

ADPOW

SuperJunctionFREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-6-18 15:25:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-264L
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公司只做原装正品

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