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APT12060LVFR	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
APT12060LVR	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology
12060	CONTINENTALEUROPECORDSETCEE7/7STRAIGHTTOIEC60320C19 文件：48.14 Kbytes Page：1 Pages	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc
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APT12060LVFR	POWERMOSV 文件：121.63 Kbytes Page：4 Pages	ADPOW Advanced Power Technology

TDA12060H/N供应商更多...

更新时间：2024-6-3 19:55:01

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2021-5-31
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2021-5-31
TDA18250BHN-NXP 芯立源电子
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2020-7-24
TDA1602A/N3，TDA2005VM，TDA2086
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2020-4-12
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2019-4-1
TDA16831-离线式开关电源600伏意识与机上的CoolMOS控制器
特点•PWM控制器+意义上的CoolMOS在一个紧凑的封装附•600伏雪崩崎岖的CoolMOS•典型的RDSON=0.5...3.5在温度Tj=25°Ωç•只有4个活动销•标准DIP-8封装的输出功率≤40瓦•只有很少的外部元件•低启动电流•电流模式控制•输入欠压锁定•最大。占空比限制•
2013-3-6