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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOD4189usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-40V ID=-40A(VGS=-

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

P-Channel40V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscP-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-40A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-40V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

P-ChannelMOSFET

Features ●VDS(V)=-40V ●ID=-40A ●RDS(ON)

UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)

UMW

TheSTEVAL-CCA049V1isademonstrationboarddesignedfortheevaluation

文件:2.97755 Mbytes Page:23 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-17 23:00:01
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