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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
1SS355	SiliconEpitaxialPlanarHigh-SpeedSwitchingDiodes Features 1)Smallsurfacemounttype(USM). 2)Highswitchingspeed.(trr=2nsTyp.). 3)Goodmountierbility,highsurgeresistanceandreliability. Applications High-speedswitching.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
1SS355	Switchingdiode Features 1)Smallsurfacemounttype(USM). 2)Highswitchingspeed.(trr=2nsTyp.). 3)Goodmountierbility,highsurgeresistanceandreliability. Applications High-speedswitching.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
1SS355	200mWSOD-323SURFACEMOUNTSmallOutlineFlatLeadPlasticPackageHighSpeedSwitchingDiode SmallOutlineFlatLeadPlasticPackage HighSpeedSwitchingDiode SpecificationFeatures: ■HighSpeedSwitchingDevice(TRR	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司
1SS355	SiliconEpitaxialPlanarDiode FEATURES •SmallSurfaceMountingType:SOD-323 •HighSpeed:t=1.2nsTyp. •HighReliabilityWithHighSurgeCurrentHandingCapability. APPLICATIONS •Highspeedswitching	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1SS355	FASTSWITCHINGDIODEVOLTAGE80VoltsCURRENT150mAmperes 文件：97.85 Kbytes Page：3 Pages	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司

TC1SS355L供应商更多...

更新时间：2024-6-3 18:39:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	1SS355VMTE-17	Rohm(罗姆)	2023+	SOD-323F	4550	全新原装正品	询价
深圳市航宇科工半导体有限公司	1SS355	LRC/乐山	22+	SOD323	600000	航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!	询价
深圳市讯顺达科技有限公司	1SS355	SOD-323	2021	CJ	85500	全新原装公司现货	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	1SS355VMTE-17	ROHM	21+	SOD-323	57000	全新原装鄙视假货15118075546	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	1SS355VMTE-17	ROHM/罗姆	21+	SOT-23	12000	自营库存/只做原装	询价
深圳市正纳电子有限公司	1SS355VMTE-17	ROHM	22+	SOD-323F	9000	原装正品可支持验货,欢迎咨询	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	1SS355VMTE-17	原装	24+	标准	46942	热卖原装进口	询价
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深圳市近平电子有限公司	1SS355PT	CHENMKO	06+	SOD323	6000	原装正品现货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	1SS355	ROHM/罗姆	2024+实力库存	SOT-323	3000	只做原厂渠道可追溯货源	询价

TC212S8F133NACKXUMA1
原装正品现货
2022-6-28
TC222S16F133FACKXUMA1
原装正品现货
2022-5-26
TC160G16AF-0015，TC160G41AF-1415，TC160G70AF
TC160G16AF-0015，TC160G41AF-1415，TC160G70AF
2020-4-12
TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11
TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24
TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25