位置：首页 > IC中文资料第5427页 > SUP65P06-20-E3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SUP65P06-20-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SUP65P06-20-E3
- 功能描述
MOSFET 60V 65A 187W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-4-26 22:50:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
23+ |
NA |
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全新原装假一赔十 |
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23+ |
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VISHAY/威世 |
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VishayVishay |
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Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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2019-10-14
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