型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SUD50N03-10AP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SUD50N03-10AP

N-Channel30-V(D-S),175C,MOSFETPWMOptimized

文件:80.29 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
SUD50N03-10AP

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:917.49 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:916.51 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-V(D-S),175CMOSFET

文件:73.5 Kbytes Page:4 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.01819 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SUD50N03-10AP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUD50N03-10AP

  • 功能描述

    MOSFET 30V 20A 71W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-4 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VB
2019
TO-252
55000
绝对原装正品假一罚十!
VISHAY/威世
22+
TO-252
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
VISHAY
2020+
TO252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
VISHAY/威世
21+
TO-252
68180
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!
VISHAY/威世
22+
TO-252
25000
只做原装进口现货,专注配单
VISHAY
2023+
TO252
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
VISHAY/威世
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
23+
TO252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
VISHAY
21+
TO252
20000
原装进口正品现货
VISHAY
TO252
699839
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规

SUD50N03-10AP芯片相关品牌

  • ASM-SENSOR
  • Central
  • GENESIC
  • Intersil
  • IRCTT
  • KSS
  • Marktech
  • PROTEC
  • RFMD
  • SOURCE
  • TAIYO-YUDEN
  • WEITRON

SUD50N03-10AP数据表相关新闻