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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SUB85N03-04P-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB85N03-04P-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 85A 166W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 22:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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代理渠道/只做原装/可含税
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23+
TO220
20000
原厂原装正品现货
VISHAY/威世
22+21+
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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
23+
N/A
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正品授权货源可靠
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ROHS全新原装
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东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销
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