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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STW80NF06 | N-CHANNEL60V-0.0065OHM-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPOWERMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearem | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
STW80NF06 | N-channel60V-0.0065-80ATO-220/D2PAK/TO-247STripFETIIPowerMOSFET 文件:314.15 Kbytes Page:14 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
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STW80NF06产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW80NF06
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
STripFET™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
20+ |
TO247 |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
21811 |
||||
ST/意法 |
22+ |
TO247 |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
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ST |
17+ |
TO-3P |
1000 |
原装现货热卖 |
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infineon |
2023+ |
TO-220F |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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ST |
2020+ |
TO-247 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ST |
TO-247 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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ST |
22+ |
TO-247 |
16900 |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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ST/意法 |
22+ |
N |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
STW80NF06规格书下载地址
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2023-2-10STW7N105K5 ST/意法半导体 场效应管MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
原装正品支持实单
2022-3-30STW6N95K5
製造商:STMicroelectronics 產品類型:MOSFET 技術:Si 安裝風格:ThroughHole 封裝/外殼:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數:1Channel Vds-漏-源擊穿電壓:950V Id-C連續漏極電流:9A RdsOn-漏-源電阻:1.25Ohms Vgs-閘極-源極電壓:-30V,+30V Vgsth-門源門限電壓:
2021-6-9STW8Q14C
STW8Q14C,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-15
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