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STW26NM60价格

参考价格：￥8.2111

型号：STW26NM60N 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STW26NM60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STW26NM60批发/采购报价，STW26NM60行情走势销售排行榜，STW26NM60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STW26NM60

N-CHANNEL600V-0.125ohm-26ATO-247Zener-ProtectedMDmeshTMPowerMOSFET

DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STW26NM60N

N-channel600V,0.135ohmtyp.,20AMDmeshIIPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220,TO-220FPandTO-247packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETappliesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldadevicewithoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge,making

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STW26NM60ND

Lowinputcapacitanceandgatecharge

Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STW26NM60N-H

N-channel600V,0.135Ω,20ATO-247MDmesh™IIPowerMOSFET

Features ■100avalanchetested ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance Application ■Switchingapplications Description Thisseriesofdevicesimplementssecond generationMDmesh™technology.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesanew verticalstruc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STW26NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：398.44 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STW26NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：398.58 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
26NM60N

N-channel600V,0.160廓,19APowerFLAT??8x8HVultralowgatechargeMDmesh??IIPowerMOSFET

Description ThisdeviceisanN-channelMDmesh™VPowerMOSFETbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatchedam

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB26NM60N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=165mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB26NM60N

N-channel600V,0.135ohmtyp.,20AMDmeshIIPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220,TO-220FPandTO-247packages

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETappliesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldadevicewithoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge,making

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB26NM60ND

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION •LowDrain-SourceOn-Resistance FEATURES •DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=175mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableopera

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB26NM60ND

Lowinputcapacitanceandgatecharge

Description TheseFDmesh™IIPowerMOSFETswithintrinsicfast-recoverybodydiodeareproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,theserevolutionarydevicesfeatureextremelylowon-resistanceandsuperiorswitchingperformance.T

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STW26NM60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW26NM60

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STW26NM60供应商更多...

更新时间：2024-6-6 10:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中联芯电子有限公司
STW26NM60N
ST
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TO-247
2400
只做原装 有挂有货 假一赔十
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司
STW26NM60N
ST
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深圳市高捷芯城科技有限公司
STW26NM60N
ST(意法半导体)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市坤融电子科技有限公司
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
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21+
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ST/意法
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主营ST/意法.原装正品.终端BOM表可配单
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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深圳市珩瑞科技有限公司
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深圳市芯巴巴科技有限公司
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ST(意法半导体)
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深圳市水星电子有限公司
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ST/意法
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TO-247
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