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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP8NM60ND | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Switchingappl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
STP8NM60ND | N-channel600V,0.59,7A,FDmeshIIPowerMOSFET Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedonresistanceandfastswitchingwithanintrinsicfastrecoverybody | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
STP8NM60ND | N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10767 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
8.0A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC8NM60isahighvoltagesuperjunctionMOSFET andisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhave ahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis usuallyusedathighspeedswitching | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10575 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10714 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.10581 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
STP8NM60ND产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP8NM60ND
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp FDMesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
N/A |
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ST意法半导体 |
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ST |
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TO-220 |
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柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
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ST |
22+ |
TO-220 |
30000 |
原装正品 |
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ST |
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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