型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STP8NM60D

N-CHANNEL600V-0.9廓-8A-TO-220/D2PAKFastDiodeMDmesh??PowerMOSFET

Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters Generalfeatures ■Highdv/dtandavalanchecapabilities

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
STP8NM60D

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

8.0A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC8NM60isahighvoltagesuperjunctionMOSFET andisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfast switchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhave ahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETis usuallyusedathighspeedswitching

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-channel650V@Tjmax,0.9Ω,8AMDmesh™PowerMOSFETTO-220,TO-220FP,D2PAK,DPAK,IPAK

Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPower MOSFETtechnologythatassociatesthemultiple drainprocesswiththecompany’sPowerMESH™ horizontallayout.Theresultingproducthasan outstandinglowon-resistance,impressivelyhigh dv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.The

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N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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STP8NM60D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP8NM60D

  • 功能描述

    MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 18:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-220
16900
支持样品,原装现货,提供技术支持!
23+
N/A
49500
正品授权货源可靠
STKOR
23+
NA/
30
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
st
2023+
TO-220
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
ST
17+
TO-220
20000
原装现货热卖
ST/意法
22+
TO220ABNONISOL
100014
ST/意法
23+
TO220ABNONISOL
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
ST/意法
22+
N
12800
本公司只做进口原装!优势低价出售!
ST全系列
22+23+
TO-220
26085
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST
23+
TO-220F
8795

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