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N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:998.2 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STP80NE06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP80NE06

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STP80NF06

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 13:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
TO-220
9836
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ST
21+
TO220
7736
原装现货假一赔十
ST/意法
2024+实力库存
TO-220
627
只做原厂渠道 可追溯货源
ST
2021+
TO-220
6430
原装现货/欢迎来电咨询
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TO220
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郑重承诺只做原装进口货
VBsemi
21+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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2024
TO-220
1000
国产品牌isc,可替代原装
VBSEMI
19+
TO-220
29600
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