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位置：首页 > IC中文资料第1185页 > STP60NE06-16

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STP60NE06-16

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STP60NE06-16

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：981.42 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
STP60NE06-16

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：245.27 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STP60NE06-16FP

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
P60NE06-16

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalancecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB60NE06-16

N-CHANNELENHANCEMENTMODESINGLEFEATURESIZEPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMosfetisthelatestdevelopmentofSGS-THOMSONunique”SingleFeatureSiz™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarkable

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STP60NE06-16产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP60NE06-16

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STP60NE06-16供应商更多...

更新时间：2024-5-14 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市鹏锦翔科技有限公司二部
STP60NE06-16
ST
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TO-220
32350
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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ST/意法
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