STGY50NC60WD价格

参考价格:¥55.0103

型号:STGY50NC60WD 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGY50NC60WD多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGY50NC60WD批发/采购报价,STGY50NC60WD行情走势销售排行榜,STGY50NC60WD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGY50NC60WD

TrenchandFieldStopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.5V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwithching ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·Hig

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STGY50NC60WD

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 110A 278W MAX247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGY50NC60WD

N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESHIGBT

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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N-channel600V-50A-Max247VeryfastPowerMESHIGBT

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N-channel50A-600V-ISOTOPVeryfastPowerMESTMIGBT

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N-channel50A-600V-ISOTOPUltrafastswitchingPowerMESHTMIGBT

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N-channel600V-55A-TO-247

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STGY50NC60WD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGY50NC60WD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-11 15:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
22+
NA
700
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ST
22+
TO-247
8652
原装现货,假一罚十
ST-意法半导体
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TO-247-3
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