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STGWT40V60DF价格
参考价格:¥15.5717
型号:STGWT40V60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWT40V60DF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWT40V60DF批发/采购报价,STGWT40V60DF行情走势销售排行榜,STGWT40V60DF报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STGWT40V60DF | Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries 文件:1.52758 Mbytes Page:17 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
STGWT40V60DF | Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,40Averyhighspeed 文件:1.83352 Mbytes Page:21 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
STGWT40V60DF | 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIER 文件:118.65 Kbytes Page:3 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
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STGWT40V60DF产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGWT40V60DF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 配置
Single 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
2.35 V
- 栅极/发射极最大电压
+/- 20 V 在25
- C的连续集电极电流
80 A
- 栅极—射极漏泄电流
250 nA
- 功率耗散
283 W
- 最大工作温度
+ 175 C
- 封装/箱体
TO-3P
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8800 |
公司只做原装正品 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
Si |
8860 |
原装正品,支持实单 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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ST/意法 |
2023+ |
TO-3P |
4500 |
全新原装正品,优势价格 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3264 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST/意法 |
21+ |
TO-3P |
5590 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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ST/意法 |
19+ |
TO-3P |
4500 |
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-247 |
48953 |
郑重承诺只做原装进口货 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8860 |
只做原装,质量保证 |
STGWT40V60DF规格书下载地址
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