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STGWA80H65FB

Lowthermalresistance

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGWA80H65FB

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 650V 120A 469W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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Automotive-gradetrenchgatefield-stop650V,80AhighspeedHBseriesIGBTinaTO-247longleads

Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C High-speedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=80A Tightparametersdistribution Saferparalleling Lowthermalresistance Applications PFC Highfrequencyconverters Descriptio

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Tightparameterdistribution

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Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

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Highspeedswitchingseries

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Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries650V,80Ahighspeed

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更新时间:2024-5-25 15:50:00
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