位置：首页 > IC中文资料 > STGWA75H65DFB2
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGWA75H65DFB2 | Trenchgatefield-stop,650V,75A,high-speedHB2seriesIGBTinaTO‑247longleadspackage Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •LowVCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=75A •Veryfastandsoftrecoveryco-packageddiode •Minimizedtailcurrent •Tightparameterdistribution •Lowthermalresistance •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient Applications •Weld | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGWA75H65DFB2 | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
更新时间：2024-5-25 18:18:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STM |
23+ |
N/A |
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深圳通 |
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ST(意法) |
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ST |
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