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STGW40V60DLF价格
参考价格：￥12.5156
型号：STGW40V60DLF 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGW40V60DLF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGW40V60DLF批发/采购报价，STGW40V60DLF行情走势销售排行榜，STGW40V60DLF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGW40V60DLF | Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,40Averyhighspeed 文件：1.28659 Mbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGW40V60DLF | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 80A 283W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIER 文件：118.65 Kbytes Page：3 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
40A60VMOSSchottkyRectifier 文件：776.35 Kbytes Page：7 Pages | PFCPFC Device Inc. PFC |  | | |
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STGW40V60DLF产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGW40V60DLF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 配置
Single 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
2.35 V
- 栅极/发射极最大电压
+/- 20 V 在25
- C的连续集电极电流
80 A
- 栅极—射极漏泄电流
250 nA
- 功率耗散
283 W
- 最大工作温度
+ 175 C
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2020+ |
原厂原装正品 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247 |
8800 |
公司只做原装正品 |
|||
ST |
1434+ |
TO247 |
36 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
|||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-247 |
6008 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO247 |
1710 |
||||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-247 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
ST/意法 |
21+ |
TO247 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
10560 |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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2022-7-5
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