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STGF3NB60FD	N-CHANNEL3A-600V-TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAKPowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“F”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforfrequencya	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STGF3NB60FD	封装/外壳：TO-220-3 整包包装：卷带（TR）描述：IGBT 600V 6A 25W TO220FP 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB3NB60KD	N-CHANNEL6A-600V-TO-220/TO-220FP/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHTMIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswith	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GD3NB60HD	N-CHANNEL6A-600V-DPAKPowerMESHTMIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperfomances. ■HIGHINPUTIMPEDANCE ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■LOWGATECHARGE ■HIGHFREQUENCY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GD3NB60K	N-CHANNEL3A-600V-TO-220/DPAK/D2PAKPowerMESTMIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances. Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswith	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GB3NB60HD	N-CHANNEL3A-600V-TO-220/TO-220FP/D2PAKPowerMESHTMIGBT 文件：586.42 Kbytes Page：12 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
GD3NB60SD	N-CHANNEL3A-600V-DPAKPowerMESHTMIGBT 文件：305.96 Kbytes Page：9 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

STGF3NB60FD产品属性

类型
描述
型号
STGF3NB60FD
功能描述
IGBT N-CHANNEL 600V 3A TO-220FP
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
PowerMESH™
标准包装
30
系列
GenX3™ IGBT
类型
PT 电压 -
集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

STGF3NB60FD供应商更多...

更新时间：2024-5-11 22:30:00

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