STGF10NC60HD价格

参考价格:¥2.9373

型号:STGF10NC60HD 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STGF10NC60HD多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGF10NC60HD批发/采购报价,STGF10NC60HD行情走势销售排行榜,STGF10NC60HD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGF10NC60HD

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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STGF10NC60HD

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 9A 24W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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STGF10NC60HD

N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT

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600V-10A-veryfastIGBT

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N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHIGBT

Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit

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N-channel600V-10A-TO-220-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT

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STGF10NC60HD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGF10NC60HD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO220F
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
ST
1926+
TO-220FP
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
ST意法半导体
22+21+
TO220F
13881
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
STMicro.
23+
TO-220FP
7750
全新原装优势
ST
17+
TO-220F
2500
原装现货热卖
ST/意法
23+
TO220ISOFULLPACK
90000
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ST/意法
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NA/
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ST-意法半导体
24+25+/26+27+
TO-220-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
ST
TO220F
93480
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ST
22+
TO220FP
9000
原厂渠道,现货配单

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