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STGD18N40LZ价格

参考价格：￥4.3834

型号：STGD18N40LZ-1 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGD18N40LZ多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGD18N40LZ批发/采购报价，STGD18N40LZ行情走势销售排行榜，STGD18N40LZ报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGD18N40LZ

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGD18N40LZ

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

文件：636.58 Kbytes Page：18 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGD18N40LZ

EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

文件：896 Kbytes Page：19 Pages

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGD18N40LZ-1

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZT4

Automotive-grade390VinternallyclampedIGBTESCIS180mJ

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESH™technology.Thebuilt-inZenerdiodesbetweengate-collectorandgate-emitterprovideovervoltageprotectioncapabilities.Thedevicealsoexhibitslowon-statevoltagedropandlowthresholddriveforuseinautomot

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZ-1

EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZ-1

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 包装：管件 描述：IGBT 420V 25A 125W IPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZ-1

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-400V-internallyclampedIGBT

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZT4

EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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STGD18N40LZT4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
GD18N40LZ

Automotive-grade390VinternallyclampedIGBTESCIS180mJ

Description Thisapplication-specificIGBTutilizesthemostadvancedPowerMESHtechnology optimizedforcoildrivingintheharshenvironmentofautomotiveignitionsystems. Thedeviceshowverylowon-statevoltageandveryhighSCISenergycapabilityover awideoperatingtemperaturerange.

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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18N40

18A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：151.29 Kbytes Page：4 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
18N40

400VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：145.54 Kbytes Page：3 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
GB18N40LZ

EAS180mJ-390V-internallyclampedIGBT

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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GP18N40LZ

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STGD18N40LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD18N40LZ

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

STGD18N40LZ供应商更多...

更新时间：2024-5-16 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STGD18N40LZT4
ST
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STGD18N40LZT4
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