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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGB30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FERD30H60C

60Vfield-effectrectifierdiode

Features STadvancedrectifierprocess Stableleakagecurrentoverreversevoltage Reducedleakagecurrent Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Description ThedeviceisbasedonaproprietarytechnologythatachievesthebestinclassVF/IRtrade-offforagivensi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
FERD30H60CG-TR

60Vfield-effectrectifierdiode

Features STadvancedrectifierprocess Stableleakagecurrentoverreversevoltage Reducedleakagecurrent Lowforwardvoltagedrop Highfrequencyoperation Description ThedeviceisbasedonaproprietarytechnologythatachievesthebestinclassVF/IRtrade-offforagivensi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
B30H60G

30AmpereInsulatedDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifierDiode

文件：385.31 Kbytes Page：2 Pages

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半导体思祁半导体有限公司

THINKISEMI
GMR30H60C

HIGHVOLTAGEPOWERSCHOTTKYRECTIFIER

文件：153.68 Kbytes Page：7 Pages

GAMMA

GAMMA electronics

GAMMA
KSF30H60

FastRecoveryDiode

文件：647.56 Kbytes Page：5 Pages

KSSKyocera Kinseki Corpotation

近畿石油輸送株式会社

KSS

STGB30H60DFB供应商更多...

更新时间：2024-6-9 16:16:00
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