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STGB10NC60KT4价格
参考价格：￥3.3731
型号：STGB10NC60KT4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB10NC60KT4多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB10NC60KT4批发/采购报价，STGB10NC60KT4行情走势销售排行榜，STGB10NC60KT4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB10NC60KT4 | N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT 文件：599.36 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGB10NC60KT4 | 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 65W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/DPAKShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT 文件：599.36 Kbytes Page：17 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
STGB10NC60KT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB10NC60KT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 N-channel MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-17 18:06:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
NA |
786 |
专做原装正品,假一罚百! |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ST/意法 |
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N |
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十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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ST |
D2PAK |
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集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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ST |
23+ |
TO-263 |
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ST |
22+ |
原厂封装 |
50000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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ST/意法 |
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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ST意法 |
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