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STGB10NC60HDT4价格
参考价格：￥3.0526
型号：STGB10NC60HDT4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGB10NC60HDT4多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGB10NC60HDT4批发/采购报价，STGB10NC60HDT4行情走势销售排行榜，STGB10NC60HDT4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGB10NC60HDT4 | 600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STGB10NC60HDT4 | 600V-10A-veryfastIGBT 文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | | |
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STGB10NC60HDT4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGB10NC60HDT4
- 功能描述
IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
07+/08+ |
TO-263 |
7500 |
||||
ST |
2305+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83268813邹小姐 |
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ST(意法) |
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ST |
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TO263 |
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向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
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公司只售原装,支持实单 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
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23+ |
N/A |
38160 |
正品授权货源可靠 |
||||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
D2PAK-3 |
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2022-2-17
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