位置：首页 > IC中文资料第12289页 > STFV3N150
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STFV3N150 | N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET 文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on): | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger. 文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | | |
N-channelEnhancedVDMOSFETs 文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode 文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  | |
STFV3N150产品属性
- 类型
描述
- 型号
STFV3N150
- 功能描述
MOSFET N-channel 1500V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3PF-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3PF-3 |
12820 |
公司只做原装,诚信经营 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3PF-3 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-3PF-3 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
|||
ST |
23+ |
TO-3PF |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
|||
ST |
16+ |
TO-220-3全封装 |
565 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3PF-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
|||
ST |
TO-220F |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-3PF-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-3PF-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
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2022-2-17
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