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位置：首页 > IC中文资料第561页 > STB11NM60

STB11NM60价格

参考价格：￥10.6340

型号：STB11NM60-1 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有STB11NM60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB11NM60批发/采购报价，STB11NM60行情走势销售排行榜，STB11NM60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB11NM60

N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKMDmesh?줡owerMOSFET

Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60

N-channel650VTJmax-0.4OHM-11ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET

文件：364.29 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60

iscN-ChannelMosfetTransistor

文件：312.31 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60-1

N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKMDmesh?줡owerMOSFET

Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoption

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60A-1

N-CHANNEL600V-0.4ohm-11ATO-220/TO-220FP/I2PAKMDmesh?줡owerMOSFET

DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dt.TheadoptionoftheCompany’sproprietarystriptechniq

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STB11NM60FD

N-channel600V-0.40OHM-11A-TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmeshTMPowerMOSFET(withfastdiode)

DESCRIPTION TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. ■TYPICALRDS(on)=0.40Ω ■HIGHdv/dtANDAVALANCHECA

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STB11NM60FD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60FD-1

IscN-ChannelMOSFETTransistor

•FEATURES •WithTo-262(I2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60FD-1

N-channel600V-0.40OHM-11A-TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmeshTMPowerMOSFET(withfastdiode)

DESCRIPTION TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. ■TYPICALRDS(on)=0.40Ω ■HIGHdv/dtANDAVALANCHECA

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STB11NM60N

N-channel600V,0.37廓,10AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,I2PAK,IPAK,DPAK,D2PAK

Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60N-1

N-channel600V,0.37廓,10AMDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,I2PAK,IPAK,DPAK,D2PAK

Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60N-1

N-channel600V-0.37廓-10A-TO-220/FP-I/I2PAK-DPAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60-1

N-channel650VTJmax-0.4OHM-11ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET

文件：364.29 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60-1

iscN-ChannelMosfetTransistor

文件：356.94 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60FD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.040089 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
STB11NM60FD

N-channel30V-0.014ohm-45ATO-220-TO-220FP-D2PAKSTripFETIIpowerMOSFET

文件：357.14 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60FD-1

N-channel30V-0.014ohm-45ATO-220-TO-220FP-D2PAKSTripFETIIpowerMOSFET

文件：357.14 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60N

N-channel600V-0.37廓-10A-TO-220-TO-220FP-I2PAK-IPAKDPAK-D2PAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60N

iscN-ChannelMosfetTransistor

文件：312.51 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60N-1

iscN-ChannelMosfetTransistor

文件：357.17 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
STB11NM60N-1

N-channel600V-0.37廓-10A-TO-220-TO-220FP-I2PAK-IPAKDPAK-D2PAKsecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET

文件：623.95 Kbytes Page：21 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB11NM60T4

N-channel650VTJmax-0.4OHM-11ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET

文件：364.29 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
B11NM60FD

N-channel600V-0.40OHM-11A-TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmeshTMPowerMOSFET(withfastdiode)

DESCRIPTION TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. ■TYPICALRDS(on)=0.40Ω ■HIGHdv/dtANDAVALANCHECA

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
D11NM60N

N-channel600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP-IPAK-DPAKSecondgenerationMDmeshPowerMOSFET

Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
F11NM60N

N-channel600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP-IPAK-DPAKSecondgenerationMDmeshPowerMOSFET

Description ThisseriesofdevicesisdesignedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemo

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
11NM60ND

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.032609 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
B11NM60FD

N-channel30V-0.014ohm-45ATO-220-TO-220FP-D2PAKSTripFETIIpowerMOSFET

文件：357.14 Kbytes Page：16 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STB11NM60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB11NM60

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 600V 11A D2PAK

STB11NM60供应商更多...

更新时间：2024-5-15 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
STB11NM60T4
ST
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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25000
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SOT-263
100000
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深圳市科芯源微电子有限公司
STB11NM60T4
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全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市中利达电子科技有限公司
STB11NM60T4
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
STB11NM60T4
ST/意法
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D2PAK
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STB11NM60
ST意法半导体
22+21+
TO-263
6000
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