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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
4119	N-ChannelJFETs FEATURES Ultra-LowLeakage:0.2pA VeryLowCurrent/VoltageOperation UltrahighInputImpedance LowNoise BENEFITS InsignificantSignalLoss/ErrorVoltage withHigh-ImpedanceSource LowPowerConsumption(Battery) MaximumSignalOutput,LowNoise HighSensitivitytoLow	VishayVishay Siliconix 威世科技
4119	N-ChannelJFETs 文件：74.32 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
4119	BNCFeed-ThruTermination 文件：23.88 Kbytes Page：1 Pages	POMONA Pomona Electronics
4119DFN	MINIATURE/NONMAGNETIC8-PINDFNPACKAGE 文件：142.77 Kbytes Page：2 Pages	LINEAR 凌特
ASSR-4119	FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET) 文件：160 Kbytes Page：11 Pages	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体

SST4119A供应商更多...

更新时间：2024-5-21 11:16:02

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SST39VF800A-70-4C-B3KE 非易失性存储器
SST39VF800A-70-4C-B3KENOR闪存还被广泛应用于存储器卡、网络设备和通信设备中。它的高速读取和写入能力可以提高设备的性能，并且可以支持多种数据传输协议，使得它非常灵活和通用。
2023-12-5
SST39VF1601-70-4I-EKE
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2022-5-9
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2021-7-29
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2019-8-16
SST89E54RD2-40-I-QJF2-FlashFlex51微控制器
SST89E5xRD2/RD和SST89V5xRD2/RD8位微控制器的FlashFlex51家庭成员SST公司的专利产品的设计和制造和专有的SuperFlashCMOS半导体工艺技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道的喷油器提供显著的成本和可靠性优势SST公司的客户。该设备使用的8051指令设置和引脚对引脚兼容标准的8051微控制器设备。16/24/40K字节的片上闪存设备这是成2个分区的EEPROM程序存储器独立的程序存储器块。主座0占地8/16/32内部程序存储空间的380K字节中学1座，占地8内部的380K字节程序存储空间。
2012-11-8