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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SSS5N60A | AdvancedPowerMOSFET BVDSS=600V RDS(on)=2.2Ω ID=2.6A FEATURES LogicLevelGateDrive AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V LowerRDS( | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET 文件:242.68 Kbytes Page:6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET 文件:254.02 Kbytes Page:6 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
PowerMOSFET 文件:1.06579 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-ChannelPowerMOSFET 文件:396.63 Kbytes Page:8 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 |
SSS5N60A产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSS5N60A
- 功能描述
MOSFET TO-220F
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FSC |
2020+ |
TO-220 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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FSC |
2020+ |
TO-220 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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FSC |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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F |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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仙童 |
06+ |
TO-220 |
2000 |
自己公司全新库存绝对有货 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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FAIRCHILD/仙童 |
TO-220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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F |
23+ |
TO-220F |
10000 |
公司只做原装正品 |
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FSC |
1746+ |
TO220F |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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FAIRCHI |
2020+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
SSS5N60A规格书下载地址
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