型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SSP5N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

AdvancedPowerMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.09042 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:254.02 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

SSP5N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSP5N60

  • 功能描述

    MOSFET TO-220

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-27 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHI
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
FAIRCHILD/仙童
24+
TO 220
155963
明嘉莱只做原装正品现货
FSC
1738+
TO-220
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
FAIRCHILD
20+/21+
TO-220
9500
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FAIRCHILD
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TO-220
4500
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FAIRCHILD/仙童
TO-220
11200
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N/A
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FSC
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仙童
06+
TO-220
2500
自己公司全新库存绝对有货

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