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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
SPW11N60C2	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
SPA11N60C2	CoolMOS??PowerTransistor Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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11N60C2	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.85385 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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SPB11N60C2	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.86869 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

SPW11N60C2供应商更多...

更新时间：2024-5-24 18:20:00

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2021-9-22
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2020-10-28
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2020-7-10
SPW47N60C3封装：TO-247批号：1510
SPW47N60C3 封装：TO-247批号：1510
2019-3-21
SPX1004-精密电压基准
描述该SPX1004是2端高精度带隙电压基准，提供了一个稳定的为1.2V和2.5V固定输出电压为±的4mV为SPX1004-1.2和±20mV的宽容为SPX1004-2.5。设计，工艺和产量上削减芯片非常低的温度精度25ppm的系数/°C的该SPX1004可作为一个引脚对引脚的LT1004，LM1004或AS1004更换。该SPX1004提供采用SOT-89和SOIC-8和TO-92封装在工作温度范围0°C至70°C的特征■初始电压容差：SPX1004-1.2=±的4mVSPX100
2013-3-15