型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPP80N10L

SIPMOSPower-Transistor

Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET

文件:974.83 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

文件:1.06093 Mbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.6474 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

文件:887.74 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

SPP80N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP80N10L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-6-4 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-3P
57550
INFINEON
2018+
TO-3P
11256
只做进口原装正品!假一赔十!
INFINEON
20+
TO220-3
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
INFINE0N
20+
TO-220-3
90000
原装正品现货/价格优势
英飞凌|Infineon
21+
TO-3P
12588
原装正品,自己库存
INFINEON
12+
T0-263
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
JSM
21+
P-TO220-3-1
15000
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!
INFINEON
23+
T0-220
7936
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
92985
终端免费提供样品 可开13%增值税发票

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